申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2019-05-15

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN110491770B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/67

优先权：["20180515 JP 2018-093964","20190328 JP 2019-064742"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.03.05#实质审查的生效;2019.11.22#公开

摘要：本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的微粒。

主权项：1.一种基板处理方法，包括：在基板的表面形成保护液的液膜；使用超临界流体使所述基板干燥，并从所述基板的表面去除所述保护液；以及在使所述基板干燥之后，去除残留于所述基板的表面的微粒，其中，在使所述基板干燥时，所述基板被收容于干燥处理腔室中，在使所述基板干燥之后，所述基板被从所述干燥处理腔室搬送到微粒处理腔室，在去除所述微粒时，所述基板被收容于所述微粒处理腔室中，利用从压力比所述微粒处理腔室内的压力高的区域向所述微粒处理腔室供给的气体，对所述基板照射气体簇。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基板处理方法、存储介质以及基板处理装置

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