申请/专利权人：昆明理工大学

申请日：2021-03-31

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113073385B

主分类号：C30B28/06

分类号：C30B28/06;C30B29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.02.15#实质审查的生效;2021.07.06#公开

摘要：本发明属于多晶硅生产技术领域，公开了一种多晶硅还原炉布棒方法、环状布棒多晶硅及用途，硅棒排布呈圆环状排布，圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离为R；每一圆环形成的几何图形在底盘呈正n边形分布；圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离R可以表示为与硅棒形成的正多边形相关的几何参数的代数式。本发明的布棒方式在相同数目的情况下排列更紧密，硅棒布置符合工艺参数的要求，且应用该排布方式时降低还原炉造价成本，降低生产能耗，达到减少生产成本的目的；能够在不改变还原炉内硅棒数的基础上，减小多晶硅还原炉的直径，并降低生产电耗，降低设备制造成本和多晶硅生产成本。

主权项：1.一种多晶硅还原炉布棒方法，其特征在于，硅棒排布呈圆环状排布，所述圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离为R；每一圆环形成的几何图形在底盘呈正n边形分布；所述圆环排布中任一圆环中任一硅棒距离该圆环的几何中心距离R可以表示为与硅棒形成的正多边形相关的几何参数的代数式；所述几何参数的代数式为： 所述代数式中m为每一环中一对硅棒中两硅芯之间间距；所述代数式中r为硅棒的最大沉积半径；所述代数式中i为硅棒沉积到最大半径时相邻两对硅棒所形成的圆截面最小距离；所述代数式中n为每一环硅棒在底盘所形成的中心对称图形的边数，n为正整数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昆明理工大学 一种多晶硅还原炉布棒方法、环状布棒多晶硅及用途

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