申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2018-09-20

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111133568B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/3213

优先权：["20170922 US 15/713,524"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.10.23#实质审查的生效;2020.05.08#公开

摘要：描述了用于制造重分布层的系统和方法。在衬底的顶部上没有沉积由铜制成的晶种层。晶种层的缺乏避免了蚀刻晶种层的需要。当未蚀刻晶种层时，同样也不蚀刻由铜制成的再分布层。

主权项：1.一种制造重分布层RDL的方法，其用以使对所述重分布层的蚀刻减至最小，所述方法包括：在衬底的顶部沉积保护性材料，以利用保护层覆盖所述衬底的顶部表面；在所述保护层的顶部覆盖钨基材料，以在所述保护层的顶部形成钨基层；施加金属基材料至所述钨基层，以在所述钨基层的顶部产生金属基层；在所述金属基层的顶部沉积光致抗蚀剂材料，以形成覆盖于所述金属基层上的光致抗蚀剂层；将所述光致抗蚀剂层图案化，以在所述光致抗蚀剂层的多个片段之间形成多个通孔；在所述多个通孔上施加铜以产生所述重分布层，使得所述重分布层的多个片段与所述光致抗蚀剂层的所述多个片段是断续的；在产生所述重分布层之后，剥除所述光致抗蚀剂层的所述多个片段，其中所述剥除被执行而露出所述金属基层的多个部分；蚀刻所述金属基层的所述多个部分，以露出所述钨基层的多个部分，并使对所述重分布层的蚀刻减至最小；以及蚀刻所述钨基层的所述多个部分，以使对所述重分布层的蚀刻减至最小。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 用于防止蚀刻重分布层的重分布层制造的系统和方法

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