申请/专利权人：上海芯稳微电子有限公司

申请日：2023-04-21

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN220754644U

主分类号：H02M1/08

分类号：H02M1/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权

摘要：本实用新型提供了一种基于Bipolar工艺的MOSFET驱动器电路、驱动芯片及电子设备，包括：第一逆变模块、第二逆变模块、第一缓冲模块以及第一电阻；第一逆变模块的第一端用于输入第一输入信号；第一逆变模块的第二端连接第二逆变信号的输入端；第一逆变模块用于根据接收到的第一输入信号产生第一电压信号，并将第一电压信号发送给第二逆变模块；第二逆变模块的第二端连接第一缓冲模块的第一端；第二逆变模块用于根据接收到的第一电压信号产生第二电压信号，并将第二电压信号发送给第一缓冲模块；第一电阻的第二端连接第一逆变模块的输入端。该技术方案解决了现有技术中存在的驱动信号的电压与电流大小与后续电路不适配的问题。

主权项：1.一种基于Bipolar工艺的MOSFET驱动器电路，其特征在于，包括：第一逆变模块、第二逆变模块、第一缓冲模块以及第一电阻；所述第一逆变模块的第一端用于输入第一输入信号；所述第一逆变模块的第二端连接第二逆变信号的输入端；所述第一逆变模块用于根据接收到的第一输入信号产生第一电压信号，并将所述第一电压信号发送给所述第二逆变模块；所述第二逆变模块的第二端连接所述第一缓冲模块的第一端；所述第二逆变模块用于根据接收到的所述第一电压信号产生第二电压信号，并将所述第二电压信号发送给所述第一缓冲模块；所述第一逆变模块的第三端、所述第二逆变模块的第三端以及所述第一缓冲模块的第三端连接工作电压的正输出端；所述第一逆变模块的第四端、所述第二逆变模块的第四端以及第三逆变模块的第四端连接所述第一电阻的第一端；所述第一电阻的第一端连接工作电压的负输出端；所述第一电阻的第二端连接所述第一逆变模块的输入端；所述第一缓冲模块的输出端用于输出第一驱动信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海芯稳微电子有限公司 基于Bipolar工艺的MOSFET驱动器电路、驱动芯片及电子设备

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