申请/专利权人：内蒙古鑫华半导体科技有限公司

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117824365A

主分类号：F27B17/00

分类号：F27B17/00;C01B33/035;F27D11/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明涉及硅棒排列技术领域，具体为一种新型可降耗硅棒排列方式的还原炉系统，包括还原炉，还原炉包括炉筒以及底盘，底盘的上侧面设置有电极，电极包括内环电极组、中环电极组以及外环电极组，内环电极组包括六个内环电极，中环电极组包括八个中环电极，外环电极组包括十个外环电极。本发明均匀排布的原因在于充分利用还原炉内的反应空间同时致使反应气体充分到达各个硅棒表面，硅棒分为内、中、外三环分布，相比于传统24对棒的电极分布由内向外的数量分别为6、8、12，减少外环硅棒所占比例，可以有效的降低表面单位面积的辐射热损失，从而达到降低能耗的目的。

主权项：1.一种新型可降耗硅棒排列方式的还原炉系统，包括还原炉1，其特征在于，所述还原炉1包括炉筒3以及卡接在所述炉筒3底部的底盘2，所述底盘2的上侧面固定设置有电极5，所述电极5包括内环电极组501、中环电极组502以及外环电极组503，所述内环电极组501包括六个成中心对称的内环电极，所述中环电极组502包括八个成中心对称的中环电极，所述外环电极组503包括十个外环电极；所述还原炉1的内部设置有硅棒，单位时间内投入到单位面积上的总辐射能称为表面的投入辐射G，单位时间内离开单位表面积上的总辐射能称为该表面的有效辐射，记为J，有效辐射不仅包括该表面的自身辐射E，还包括了投入辐射G中被表面反射的部分рG，其中р为表面的反射率，还原炉1内硅棒表面辐射量满足一下表达式：J＝E+pG＝Cn×T1-T24×F1+pG其中：Cn为辐射系数，T1和T2为两物体的温度，F1为辐射体的辐射表面积。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 内蒙古鑫华半导体科技有限公司 一种新型可降耗硅棒排列方式的还原炉系统

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