申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832848A

主分类号：H01Q3/28

分类号：H01Q3/28;H01Q3/36;G02F1/01

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明公开了一种基于砷化镓的幅度‑相位太赫兹调制器，包括金属层、衬底与集成在衬底上表面的电磁结构图案；所述金属层紧贴在衬底下表面作为反射层，在衬底上方铭刻厚度均匀的电磁结构图案。本发明具有良好幅度响应的同时，兼具双模态调控的电磁超材料结构；通过控制砷化镓的电导率大小，从而实现幅度的连续调制和相位的1‑bit调制。此结构易于制作，降低实验需求。

主权项：1.一种基于砷化镓的幅度-相位太赫兹调制器，其特征在于，包括金属层1和衬底2，在所述衬底2上表面集成有电磁结构图案；所述金属层1紧贴在衬底2下表面作为反射层，在衬底2上方铭刻厚度均匀的电磁结构图案；结构图案由铜与砷化镓构成，利用砷化镓随外界条件变化而呈现电导率变化，砷化镓被作为“开关”镶嵌在铜结构图案中以调控电磁能量的流动路径，通过砷化镓电导率的切换，实现单元结构对入射太赫兹波的幅度-相位调制。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种基于砷化镓的幅度-相位太赫兹调制器

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