申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2024-03-04

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117826926A

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明公开了一种双环路控制的低功耗LDO电路，涉及调节电变量或磁变量的系统，针对现有技术中静态功耗大的问题提出本方案。采样功率管的栅极节点电压，在栅极节点电压为低时令重载环路介入工作，否则令重载环路的控制输出饱和；所述轻载环路的输入端利用共栅PMOS管对功率管的漏电电流回收复用。优点在于，使用共栅PMOS管作为轻载环路输入级对功率管漏电电流的复用实现在低负载下相比传统结构更低的静态功耗。支持环路切换功能，通过检测负载电流大小自适应切换轻载环路和重载环路工作，低负载下仅由轻载环路工作保证超低功耗，实现低功耗的需求；高负载下重载环路工作，保证高电压精度。

主权项：1.一种双环路控制的低功耗LDO电路，其特征在于，包括轻载环路和重载环路；采样功率管（Mp）的栅极节点（Vg）电压，在栅极节点（Vg）电压为低时令重载环路介入工作，否则令重载环路的控制输出饱和；所述轻载环路的输入端利用共栅PMOS管对功率管的漏电电流回收复用；结构具体如下：误差放大器（EA）的正相输入端连接反馈电压（Vfb），误差放大器（EA）的反相输入端连接第一参考电压（Vref1），误差放大器（EA）的输出端连接第一节点（Va），误差放大器（EA）的工作电流由第四电流源（I4）提供；开关管（Msw）的源极连接VDD，开关管（Msw）的漏极连接第一节点（Va），开关管（Msw）的栅极连接滞回比较器（U1）的输出端；第三MOS管（M3）的源极连接第二节点（Vb），第三MOS管（M3）的漏极连接第一MOS管（M1）的漏极，第三MOS管（M3）的栅极连接第一节点（Va）；第一MOS管（M1）的源极连接输出电压（Vo），第一MOS管（M1）的栅极连接静态电压偏置点（Vbp）；第二MOS管（M2）的源极连接第二参考电压（Vref2），第二MOS管（M2）的漏极与栅极共点于静态电压偏置点（Vbp）后通过第一电流源（I1）接地；传感MOS管（Msen）的源极连接VDD，传感MOS管（Msen）的漏极连接滞回比较器（U1）的正相输入端以及通过传感电阻（Rsen）接地，传感MOS管（Msen）的栅极连接栅极节点（Vg）；第三电流源（I3）串接于VDD和栅极节点（Vg）之间；功率管（Mp）的源极连接VDD，功率管（Mp）的漏极连接输出电压（Vo），功率管（Mp）的栅极连接栅极节点（Vg）；第二电流源（I2）串接于第二节点（Vb）和地之间；滞回比较器（U1）的反相输入端连接第一参考电压（Vref1）；第四MOS管（M4）的源极连接栅极节点（Vg），第四MOS管（M4）的漏极接地，第四MOS管（M4）的栅极连接第二节点（Vb）；第一反馈电阻（Rf1）和反馈电容（Cf）并联后一端连接输出电压（Vo），另一端串接第二反馈电阻（Rf2）后接地，第一反馈电阻（Rf1）和第二反馈电阻（Rf2）的连接点电压为反馈电压（Vfb）；输出电容（CL）串接在输出电压（Vo）和地之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 一种双环路控制的低功耗LDO电路

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