申请/专利权人：浙江晶盛光子科技有限公司

申请日：2022-09-29

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117821933A

主分类号：C23C16/34

分类号：C23C16/34;C23C16/505;C23C16/40;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.05#公开

摘要：本发明涉及一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺；该晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺主要包括采用等离子体增强化学气相沉积方法沉积第一氮化硅膜和第二氮化硅膜，沉积时采用的气体包括硅烷、氨气以及氮气；其中，在沉积第一氮化硅膜的步骤中，氨气与硅烷的体积流量之比为3‑6，氮气的体积流量与氨气和硅烷的体积流量之和的比值大于或等于1，硅烷的体积流量为800sccm‑4000sccm；在沉积第二氮化硅膜的步骤中，氨气与硅烷的体积流量之比为5‑12，氮气的体积流量与氨气和硅烷的体积流量之和的比值大于或等于1，硅烷的体积流量为500sccm‑3000sccm。该晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺能够提高同一炉管中沉积得到的减反射膜的品质，且一致性更好，使晶硅电池具有优异的光电转换效率。

主权项：1.一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，其特征在于，主要包括采用等离子体增强化学气相沉积方法沉积第一氮化硅膜和第二氮化硅膜，沉积时采用的气体包括硅烷、氨气以及氮气；其中，在沉积所述第一氮化硅膜的步骤中，所述氨气与所述硅烷的体积流量之比为3-6，所述氮气的体积流量与所述氨气和所述硅烷的体积流量之和的比值大于或等于1，所述硅烷的体积流量为800sccm-4000sccm；在沉积所述第二氮化硅膜的步骤中，所述氨气与所述硅烷的体积流量之比为5-12，所述氮气的体积流量与所述氨气和所述硅烷的体积流量之和的比值大于或等于1，所述硅烷的体积流量为500sccm-3000sccm。

全文数据：

权利要求：

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