申请/专利权人：上海季丰电子股份有限公司

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117825419A

主分类号：G01N23/04

分类号：G01N23/04;G01N23/20008;G01N23/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明提供了一种SiGe单晶层中Ge浓度的确定方法和应用，涉及半导体集成电路技术领域。该确定方法包括以下步骤：A、在芯片的PMOS器件层的源漏电极区域，使用聚焦离子束将待检测区域制成TEM切片；B、将TEM切片置于TEM机台获得SiGe目标单晶的衍射谱图；C、对衍射谱图中点阵进行分析获得任意晶面的晶面间距dhkl，通过晶面间距dhkl计算SiGe单晶的晶格常数；D、通过晶格常数计算SiGe单晶层中Ge原子浓度。本发明直接分析SiGe合金的晶面间距，从晶面间距的变化来测量Ge浓度，一方面避免了周围环境介质对分析结果的影响，提高了精度，另外缩短了样品制备时间，节约了研发成本。

主权项：1.一种SiGe单晶层中Ge浓度的确定方法，其特征在于，包括以下步骤：A、在芯片的PMOS器件层的源漏电极区域，使用聚焦离子束将待检测区域制成TEM切片；B、将所述的TEM切片置于TEM机台获得SiGe目标单晶的衍射谱图；C、对所述衍射谱图中点阵进行分析获得任意晶面的晶面间距dhkl，通过晶面间距dhkl计算SiGe单晶的晶格常数；D、通过晶格常数计算SiGe单晶层中Ge原子浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海季丰电子股份有限公司 SiGe单晶层中Ge浓度的确定方法和应用

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