申请/专利权人：季华实验室

申请日：2024-03-05

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117822122A

主分类号：C30B29/46

分类号：C30B29/46;C30B11/00;C30B11/02;C30B29/68

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明公开了一种层状Ge1‑xSb4+xTe7单晶体及其制备方法，涉及晶体材料制备技术领域。所述制备方法采用特定配比的锗粉、锑粉、碲粉为原料，通过高温烧制并在晶体形核和初晶生长阶段采用较慢的降温速率，以使材料形核成Ge1‑xSb4+xTe7籽晶并使晶粒逐渐长大，得到大尺寸、高质量的Ge1‑xSb4+xTe7单晶体，进而为三元Ge1‑xSb4+xTe7硫族化合物的研究和开发提供材料。

主权项：1.一种层状Ge1-xSb4+xTe7单晶体的制备方法，其特征在于，所述方法包括：以摩尔比为（1-x）：（4+x）：7的锗粉、锑粉、碲粉为原料，其中，所述x为0≤x≤0.15，在真空条件下，升温至950℃，于该温度保温6～12h；保温结束后，分步缓慢降温，先以1～5℃min的降温速率由950℃降温至620℃，再以0.5～1℃h降温速率降温至590℃，并于590℃保温6～12h；自然冷却至室温，得到层状Ge1-xSb4+xTe7单晶体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 季华实验室 一种层状Ge_1-xSb_4+xTe₇单晶体及其制备方法

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