申请/专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学

申请日：2024-01-02

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117822127A

主分类号：C30B31/02

分类号：C30B31/02;C30B31/18;C30B33/02;C30B29/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明涉及一种表面具有图形化氮空位色心区域的金刚石的制备方法，包括在所述本征硅衬底上制备预设图形结构；将单晶金刚石放置在所述本征硅衬底的若干支撑结构之上；在与支撑结构相接触的单晶金刚石的表面形成若干硅空位色心区域；使用氮氢混合的等离子体的微波等离子集团处理表面具有硅空位色心区域的单晶金刚石，以使硅空位色心区域转化为氮空位色心区域；对表面具有氮空位色心的单晶金刚石进行退火处理，完成表面具有图形化氮空位色心区域的金刚石的制备。本发明提出的方法可以在金刚石表面所需区域，选择性的生长氮空位色心，更适合金刚石氮空位色心的应用。本发明提供的方法对金刚石没有破坏性，制备的具有氮空位色心的金刚石质量更高。

主权项：1.一种表面具有图形化氮空位色心区域的金刚石的制备方法，其特征在于，所述金刚石的制备方法包括：步骤1、选取本征硅衬底；步骤2、采用光刻和刻蚀工艺在所述本征硅衬底上制备预设图形结构，所述预设图形结构包括若干支撑结构；步骤3、将单晶金刚石放置在所述本征硅衬底的若干支撑结构之上，以使所述支撑结构与所述单晶金刚石的表面相接触；步骤4、在与所述支撑结构相接触的所述单晶金刚石的表面形成若干硅空位色心区域；步骤5、使用氮氢混合的等离子体的微波等离子集团处理表面具有硅空位色心区域的单晶金刚石，以使所述单晶金刚石表面的硅空位色心区域转化为氮空位色心区域；步骤6、对表面具有氮空位色心的单晶金刚石进行退火处理，完成表面具有图形化氮空位色心区域的金刚石的制备。

全文数据：

权利要求：

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