申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2022-08-11

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117837089A

主分类号：H04B1/00

分类号：H04B1/00;H04B7/06;H04B1/04

优先权：["20210901 US 17/464,404"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：在某些方面，一种方法包括经由公共输入端接收第一中频IF信号和第二IF信号，将该第一IF信号上变频为第一射频RF信号，经由第一天线阵列发射该第一RF信号，将该第二IF信号上变频为第二RF信号，以及经由第二天线阵列发射该第二RF信号。在第一发射模式下，该第一RF信号在第一频带中并且该第二RF信号在第二频带中，并且在第二发射模式下，该第一RF信号和该第二RF信号都在该第一频带中。

主权项：1.一种装置，包括：第一信号路径，所述第一信号路径具有输入端和输出端，其中所述第一信号路径的所述输入端耦合到中频IF输入端，并且所述第一信号路径包括被配置为使第一IF信号通过并且抑制第二IF信号的第一滤波器；第二信号路径，所述第二信号路径具有输入端和输出端，其中所述第二信号路径的所述输入端耦合到所述IF输入端，并且所述第二信号路径包括被配置为使所述第二IF信号通过并且抑制所述第一IF信号的第二滤波器；第一发射器阵列，所述第一发射器阵列具有输入端和多个输出端；第二发射器阵列，所述第二发射器阵列具有输入端和多个输出端；第三发射器阵列，所述第三发射器阵列具有输入端和多个输出端；第一电源分配网络PDN，所述第一电源分配网络PDN具有第一输入端、第二输入端、耦合到所述第一发射器阵列的所述输入端的第一输出端、以及耦合到所述第三发射器阵列的所述输入端的第二输出端；第一混频器，所述第一混频器耦合在所述第一信号路径的所述输出端与所述第一PDN的所述第一输入端之间；第二混频器，所述第二混频器耦合在所述第二信号路径的所述输出端与所述第二发射器阵列的所述输入端之间；以及第三混频器，所述第三混频器耦合在所述第二信号路径的所述输出端与所述第一PDN的所述第二输入端之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高通股份有限公司 多频带发射器

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