申请/专利权人：南京理工科技化工有限责任公司;无锡赛米垦拓微电子股份有限公司

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117824445A

主分类号：F42C19/12

分类号：F42C19/12;F42C19/08

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.05#公开

摘要：本发明公开了一种电子雷管起爆控制电路，包括起爆芯片和引火元件，起爆芯片的NXT端口连接有MOS管PM1的栅极，MOS管PM1的源极作为OUT输出端口，起爆芯片的IN端口连接有电阻R1，电阻R1的另一端和MOS管PM1的源极与电源正极IN+端口连接，起爆芯片的GND端通过电阻R2与电源负极IN‑端口连接，起爆芯片的VDD端口通过电容C2与起爆芯片的GND端口连接，起爆芯片的CHK端口与引火元件的一端连接，引火元件的另一端与起爆芯片的CAP端口连接，起爆芯片的CAP端口通过电容C1与起爆芯片的GND端口连接，起爆芯片的TRIG端口连接有MOS管NM1的栅极，MOS管NM1的漏极与引火元件靠近起爆芯片的CHK端口的一侧连接。本发明实现选发逐级起爆的爆破作业需求。

主权项：1.一种电子雷管起爆控制电路，其特征在于：包括起爆芯片和引火元件，所述起爆芯片的NXT端口连接有MOS管PM1的栅极，所述MOS管PM1的源极作为OUT输出端口，所述起爆芯片的IN端口连接有电阻R1，所述电阻R1的另一端和MOS管PM1的源极与电源正极IN+端口连接，所述起爆芯片的GND端通过电阻R2与电源负极IN-端口连接，所述起爆芯片的VDD端口通过电容C2与所述起爆芯片的GND端口连接，所述起爆芯片的CHK端口与所述引火元件的一端连接，所述引火元件的另一端与所述起爆芯片的CAP端口连接，所述所述起爆芯片的CAP端口通过电容C1与所述起爆芯片的GND端口连接，所述起爆芯片的TRIG端口连接有MOS管NM1的栅极，所述MOS管NM1的漏极与所述引火元件靠近所述起爆芯片的CHK端口的一侧连接，所述MOS管NM1的源极与所述起爆芯片的GND端口连接，所述MOS管NM1的栅极通过电阻R2与所述起爆芯片的GND端口连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京理工科技化工有限责任公司;无锡赛米垦拓微电子股份有限公司 电子雷管起爆控制电路

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD