申请/专利权人：海速芯(杭州)科技有限公司;无锡市海速芯业电子科技有限公司;深圳海速芯业科技有限公司;上海海速芯微电子有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117833156A

主分类号：H02H3/087

分类号：H02H3/087

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明涉及限流电路技术领域，具体为一种LDO输出电流限流电路，所述限流电路的工作流程包括了以下：启动LDO限流电路，提高输出电流，使得输出电流维持在60mA，对LDO限流电路进行短路保护；提高输出电压，调整LDO限流电路中各部分电路的通断，控制输出电流的提高；当输出电流提高到255mA时，对输出电流进行限制；根据参考电计算得到电路器件的电阻；当输出电流超过255mA时，根据各部分电路的电流和电压的变化，调整输出电流。在任意的工艺平台实现这个电路结构，不用考虑工艺的限制，实现即对LDO芯片的启动过程保护，又对短路电流的保护，同时让短路电流会自适应变化有了保证。

主权项：1.一种LDO输出电流限流电路，其特征在于：所述限流电路包括了偏置电流支路、A1支路、A2支路、A3支路、A4支路、A5支路、A6支路和Vref支路；所述偏置电流支路包括：偏置电流输入端和NMOS管NB1；所述A1支路包括：PMOS管P17、NMOS管N71和NMOS管N70；所述A2支路包括：PMOS管P27、PMOS管P20、PMOS管P21、NMOS管NM49、NMOS管N109、NMOS管N110和NMOS管N37；所述A3支路包括：输入端IB_CU_LIMITER、NMOS管N107、NMOS管N108、PMOS管PM1、输入端IB_N和PMOS管PM29；所述A4支路包括：输出端、电阻R190、PMOS管P24、NMOS管N19、NMOS管N4B4、NMOS管N14和MOS管M18；所述A5支路包括：PMOS管P445、电阻R14、PMOS管P22、NMOS管N18、NMOS管N483和NMOS管N101；所述A6支路包括：PMOS管P443、PMOS管P31、电阻R0、电阻R16和NMOS管N97；所述Vref支路包括：输入端CE_P3_G、PMOS管PM22、PMOS管PM24、PMOS管P23、电阻R11、电容C206、PMOS管P25、PMOS管P26、电阻R5、电阻R6、NMOS管N64_65、NMOS管N124_125、NMOS管N126_127、NMOS管N66_67、NMOS管N99、NMOS管N98、NMOS管N74、NMOS管N91、NMOS管NM30、输入端P4_D和输入端N_12G；偏置电流支路与A1支路通过电流镜连接，A1支路与A2支路混合连接，A2支路与A3支路混合连接，A3支路与A4支路混合连接，A3支路与A4支路混合连接，A4支路与A5支路混合连接，A5支路与A6支路混合连接，A3支路与A6支路通过线路C进行连接，A6支路与Vref支路通过节点E连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 海速芯(杭州)科技有限公司;无锡市海速芯业电子科技有限公司;深圳海速芯业科技有限公司;上海海速芯微电子有限公司 一种LDO输出电流限流电路

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