申请/专利权人：深圳市中兴微电子技术有限公司

申请日：2022-09-28

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117833884A

主分类号：H03K17/16

分类号：H03K17/16;H03K17/687;H03H11/12

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.05#公开

摘要：本申请实施例提供了一种负电导单元、负电导阵列及有源滤波器，该负电导单元包括：PMOS开关、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻R1、第二电阻R2和NMOS开关，PMOS开关的源极连接至电源，漏接分别连接第一PMOS管和第二PMOS管的源极，第一PMOS管和第二PMOS管的漏极分别接第一NMOS管和第二NMOS管的漏极，第二NMOS管和第二NMOS管的源极分别接R1和R2，R1和R2的另一端一起接至NMOS开关的漏极，NMOS开关的源极接地，第一PMOS管和NMOS管的栅极通过导线一起接至第二PMOS管和第二NMOS管之间的连线上的第一连接点，第二PMOS管和第二NMOS管的栅极通过导线一起接到第一PMOS管和第一NMOS之间的连线上的第二连接点，可以解决相关技术中负电导单元闪烁噪声较大的问题。

主权项：1.一种负电导单元，其特征在于，包括：PMOS开关、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻R1、第二电阻R2和NMOS开关，其中，所述PMOS开关的源极连接至电源，漏接分别连接第一PMOS管和第二PMOS管的源极，所述第一PMOS管和第二PMOS管的漏极分别接第一NMOS管和第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管和所述第二NMOS管的源极分别接第一电阻R1和第二电阻R2，所述第一电阻R1和第二电阻R2的另一端一起接至所述NMOS开关的漏极，所述NMOS开关的源极接地，所述第一PMOS管和所述NMOS管的栅极通过导线一起接至所述第二PMOS管和所述第二NMOS管之间的连线上的第一连接点，所述第二PMOS管和所述第二NMOS管的栅极通过导线一起接到所述第一PMOS管和所述第一NMOS之间的连线上的第二连接点。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市中兴微电子技术有限公司 负电导单元、负电导阵列及有源滤波器

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