申请/专利权人：北京大学深圳研究生院

申请日：2021-06-03

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN113548638B

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00;H01L21/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2021.11.12#实质审查的生效;2021.10.26#公开

摘要：本发明涉及一种微凸起结构的制备方法，包括：在基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成生长层；在生长层上设置滤膜层；部分生长层在毛细作用下进入滤膜层的孔洞中以形成微凸起结构；固化生长层；以及去除滤膜层。本发明还涉及一种半导体器件的制备方法。

主权项：1.一种半导体器件的制备方法，包括：在基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成生长层；在生长层上设置滤膜层；部分生长层在毛细作用下进入滤膜层的孔洞中以形成微凸起结构；固化生长层；去除滤膜层；在所述微凸起结构上形成彼此交叠的导电纳米结构；在所述微凸起结构表面上形成连接层；在生长层上形成与所述连接层电连接的第一电极和第二电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学深圳研究生院 一种微凸起结构的制备方法

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