申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-05-28

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN113380289B

主分类号：G11C11/22

分类号：G11C11/22;G11C8/08;G11C7/10;G11C11/56;G11C16/34

优先权：["20200528 US 63/031,204","20210311 US 17/198,790"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2021.09.28#实质审查的生效;2021.09.10#公开

摘要：本发明的实施例提供了存储器电路和将数据写入存储器单元的方法。存储器电路包括具有多个存储器单元的存储阵列，每个存储器单元包括具有铁电层的栅极结构和与该栅极结构相邻的沟道层，沟道层包括金属氧化物材料。驱动器电路被配置为向存储器单元的栅极结构输出栅极电压，栅极电压在第一写入操作中具有正极性和第一幅度，在第二写入操作中具有负极性和第二幅度，并将第二幅度控制为大于第一幅度。

主权项：1.一种存储器电路，包括：存储器阵列，包括多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每个存储器单元包括：栅极结构，包括铁电层；和沟道层，邻近所述栅极结构，所述沟道层包括金属氧化物材料；以及驱动器电路，被配置为向所述多个存储器单元中的存储器单元的所述栅极结构输出栅极电压，其中所述栅极电压在第一写入操作中具有正极性和第一幅度，所述栅极电压在第二写入操作中具有负极性和第二幅度，并且所述驱动器电路被配置为控制所述第二幅度大于所述第一幅度，其中，所述第一写入操作的持续时间随着所述第一幅度的增加而增加，和或所述第二写入操作的持续时间随着所述第二幅度的增加而增加，或者所述第一写入操作的持续时间随着所述第一幅度的减小而增加和或所述第二写入操作的持续时间随着所述第二幅度的减小而增加。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器电路和写入存储器单元的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD