申请/专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司

申请日：2020-12-01

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN112655092B

主分类号：H10B63/10

分类号：H10B63/10;H10N70/20;H10N70/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：公开了一种用于3DX点存储器的具有减小的编程电流和热串扰的衬垫电极单元结构和制造方法。在所提出的单元结构和工艺流程中，通过自对准图案化和蚀刻在字线和位线的交叉点处产生相变存储器PCM单元。PCM单元包括与自对准PCM单元电接触的衬垫电极以进一步减小编程电流要求。由于电极与PCM单元之间的接触面积减小，因此编程电流密度在电极上方的存储器单元柱的中间最高以形成蘑菇状单元。由于单元编程体积较小，所以相邻单元之间的热串扰减小。

主权项：1.一种具有衬垫限制单元结构的三维存储器，包括：彼此垂直并且耦合到至少一个存储单元叠层的字线和位线；包含在所述存储单元叠层内的选择器、具有顶面和底面的相变存储PCM单元、衬垫电极、第一电极、第二电极和第三电极；所述PCM单元设置在所述第一电极和所述衬垫电极之间，所述衬垫电极设置在所述PCM单元和所述第二电极之间，以及所述选择器设置在所述第二电极和所述第三电极之间；所述PCM单元和所述选择器被限制在所述字线和所述位线之间，并且所述PCM与所述选择器串联；平行于所述字线延伸的字线方向，和平行于所述位线延伸的位线方向；其中，所述PCM单元和所述选择器相对于所述字线和所述位线自对准；其中，所述衬垫电极形成在所述位线方向上并与所述PCM单元的底面的中心部分电接触；以及其中，编程电流密度在所述衬垫电极上方的所述存储单元叠层的中间最高以形成蘑菇状单元。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 用于3D X点存储器的具有减小的编程电流和热串扰的衬垫电极单元结构和制造方法

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