申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2022-06-22

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117882184A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L21/285

优先权：["20210903 US 17/466,732"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：形成组件的方法包括在基板上形成介电层，该介电层包含至少一个特征结构，该至少一个特征结构界定包含侧壁及底部的间隙。在间隙的底部上形成自组装单层SAM，及在阻挡层上选择性沉积金属衬垫之前在SAM上形成该阻挡层。在阻挡层上选择性沉积金属衬垫之后移除SAM。

主权项：1.一种形成微电子组件的方法，所述方法包含以下步骤：在基板上形成介电层，所述介电层包含界定具有侧壁及底部的间隙的至少一个特征结构；在所述间隙的所述底部上选择性沉积自组装单层SAM；在所述SAM上形成阻挡层；在所述侧壁上的所述阻挡层上选择性沉积金属衬垫，所述侧壁上沉积的所述金属衬垫的厚度大于所述底部上沉积的所述金属衬垫的厚度；在所述阻挡层上选择性沉积所述金属衬垫之后移除所述SAM；及对所述金属衬垫执行间隙填充工艺。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 形成用于互连结构的金属衬垫的方法

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