申请/专利权人：北京大学

申请日：2024-02-08

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894754A

主分类号：H01L21/8238

分类号：H01L21/8238;H01L27/092

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本申请提供一种堆叠晶体管的互连方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成鳍状结构，鳍状结构包括第一部分和第二部分；基于第一部分，形成第一半导体结构；在第一半导体结构的单扩散隔离区域内形成第一单扩散隔断结构；对第一半导体结构进行倒片并去除半导体衬底，以暴露鳍状结构的第二部分；基于第二部分，形成第二半导体结构；在第二半导体结构的单扩散隔离区域内形成第二单扩散隔断结构；其中，第一单扩散隔断结构和第二单扩散隔断结构中形成有互连通孔结构；互连通孔结构与第一半导体结构上的第一金属互连层和位于第二半导体结构上的第二金属互连层连接。

主权项：1.一种堆叠晶体管的互连方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体衬底上形成鳍状结构；所述鳍状结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分相对于所述第二部分远离所述半导体衬底；基于所述第一部分，形成第一半导体结构；所述第一半导体结构在所述鳍状结构的延伸方向上依次交替排布第一栅极结构和第一源漏结构；去除位于所述第一半导体结构的单扩散隔离区域内的第一栅极结构和鳍状结构的第一部分后，在所述单扩散隔离区域内沉积第一绝缘材料，形成第一单扩散隔断结构；所述第一单扩散隔断结构至少用于隔离所述第一半导体结构中的第一晶体管和第二晶体管；对所述第一半导体结构进行倒片并去除所述半导体衬底，以暴露鳍状结构的第二部分；基于所述第二部分，形成第二半导体结构；所述第二半导体结构在所述鳍状结构的延伸方向上依次交替排布第二栅极结构和第二源漏结构；去除位于所述第二半导体结构的单扩散隔离区域内的第二栅极结构和鳍状结构的第二部分后，在所述单扩散隔离区域内沉积第二绝缘材料，形成第二单扩散隔断结构；所述第二单扩散隔断结构至少用于隔离所述第二半导体结构中的第三晶体管和第四晶体管；所述第二半导体结构的单扩散隔离区域和所述第一半导体结构的单扩散隔离区域相重合；其中，所述第一单扩散隔断结构和所述第二单扩散隔断结构中形成有互连通孔结构；所述互连通孔结构用于与位于所述第一半导体结构上的第一金属互连层和位于所述第二半导体结构上的第二金属互连层连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 堆叠晶体管的互连方法、堆叠晶体管及半导体器件

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