申请/专利权人：东莞市烽元科技有限公司;烟台大学

申请日：2020-10-30

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN113981383B

主分类号：C23C14/32

分类号：C23C14/32;C23C14/18;C23C14/58;C23C14/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2022.02.18#实质审查的生效;2022.01.28#公开

摘要：本发明涉及一种在AlN陶瓷表面多弧离子镀沉积钛膜的方法，该方法通过调节工作气体压强、温度、时间、功率等工艺条件，在AlN上沉积钛膜层。使用本方法制得具有良好的膜基结合力，导电性，和耐磨性的金属膜层，该膜层结构均匀致密，与基材的结合强度高，硬度高，同时膜层具有良好的电学性能可以为AlN表面改性提供重要的参考依据。

主权项：1.一种在AlN陶瓷基体表面多弧离子镀钛膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1预处理基体：将AlN陶瓷基体清洗，烘干；2准备设备和材料：采用多弧离子镀镀膜机，选用2个纯度为99.99％的Al和Ti单质靶，工作气体为惰性气体；3将步骤1预处理后的基体放入步骤2准备的镀膜机，真空室内气压抽至1.6×10-4Pa，充入工作气体，进行离子轰击10min，开启辅助加热；所述工作气体流量10-25sccm，气压1.0-2.0Pa，所述多弧离子镀镀膜机的阳极灯丝输入功率为200-1000W，所述加热升温至到400℃；4沉积Al过渡层：打开多弧离子镀Al靶电源进行镀膜，调节溅射功率至100W-200W，单质靶电流保持在70-90A，负偏压控制在-300～-450V；所述镀膜时间为0.5min，膜层厚度为10-15nm；5沉积Ti过渡层：打开多弧离子镀Ti电源进行镀膜，调节溅射功率至90W-400W，单质靶电流保持在60-70A，负偏压控制在-80～-160V，温度为50-70℃；所述镀膜时间为5min-10min，膜层厚度为80-100nm；6打开多弧离子镀Ti靶电源进行镀膜，调节溅射功率至150W-180W，单质靶电流保持在60-70A，负偏压控制在-40～-80V，温度为50-70℃；所述镀膜时间为1min-2min，膜层厚度为30-50nm；7打开多弧离子镀Ti靶电源进行镀膜，调节溅射功率至150W-180W，单质靶电流保持在60-70A，负偏压控制在-10～-40V，温度为50-70℃；所述镀膜时间为1min-2min，膜层厚度为10-20nm；8将步骤7所得物整体加热1-2h，促进Ti–Al间的互扩散；所述加热升温至700-850℃；9沉积结束后，关闭氩气，关闭电弧电源，使真空室内温度自然冷却，取出制品。

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权利要求：

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