申请/专利权人：格芯公司

申请日：2020-03-04

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN111798912B

主分类号：G11C29/42

分类号：G11C29/42;G11C29/12;G06F11/10

优先权：["20190404 US 16/375115"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要：本发明涉及低电压存储器的存储器内建自测试纠错码MBISTECC。本公开涉及一种包括存储器内建自测试MBIST电路的结构，该电路被配置为修复存储器的滑动窗口的单个字线中多个图案的多单元故障。

主权项：1.一种存储器内建自测试MBIST电路，该电路被配置为修复存储器的滑动窗口的单个字线中多个图案的多单元故障，所述MBIST电路包括：暂存器模块，其被配置为存储所述滑动窗口的所述多个图案的故障，其中，所述暂存器模块被进一步配置为比较所述滑动窗口的所述多个图案的新来单元故障的行与先前存储的故障的行，以便i确定所述新来单元故障是否为所述单个字线的单单元故障，以及ii确定所述新来单元故障是否为所述单个字线的多单元故障；以及修复模块，其被配置为i响应于所述暂存器模块确定所述新来单元故障是所述多单元故障而修复所述多单元故障，以及ii响应于所述暂存器模块确定所述新来单元故障是所述单单元故障而保持所述单单元故障不被修复，其中，所述MBIST电路被配置为完成对所述存储器中的多单元故障的修复并清除所述暂存器模块。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格芯公司 存储器内建自测试电路及其操作方法

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