申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司

申请日：2018-09-14

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN110904432B

主分类号：C23C16/34

分类号：C23C16/34;C23C16/455

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2020.04.17#实质审查的生效;2020.03.24#公开

摘要：本发明提供MOCVD反应腔，所述反应腔体围绕形成反应空间；反应空间底部包括一个旋转基座，用于支撑并驱动设置在旋转基座上的基片托盘旋转，反应腔体顶部包括一进气装置，所述进气装置包括一个气体喷淋板，用于向下通入第一反应气体和第二反应气体；所述进气装置还包括一个长杆形的气体喷头，所述气体喷头穿过位于气体喷淋板中心的通孔向下延伸到低于所述气体喷淋板下表面，所述气体喷头顶部包括一辅助气体输入管道，通过所述辅助气体输入管道与所述第一反应气源或者第二反应气源之一相连接，所述气体喷头底部为气体喷嘴，所述气体喷嘴底面的多个出气通道向下方的基片托盘中心区域喷出来自所述辅助气体输入管道的气体。

主权项：1.一种MOCVD反应器，包括：反应腔体，所述反应腔体围绕形成反应空间；反应空间底部包括一个旋转基座，用于支撑并驱动设置在旋转基座上的基片托盘旋转，所述基片托盘用于固定一片或多片待处理基片；反应腔体顶部包括一顶盖，顶盖包括一进气装置，所述进气装置包括位于顶盖下部的一个气体喷淋板，用于向下通入第一反应气体和第二反应气体；所述进气装置还包括一个长杆形的气体喷头，所述气体喷头穿过位于气体喷淋板中心的通孔向下延伸到低于所述气体喷淋板下表面，所述气体喷头顶部包括一辅助气体输入管道，通过所述辅助气体输入管道与第一反应气源和或第二反应气源相连接，所述气体喷头底部为气体喷嘴，所述气体喷嘴底面的多个开口朝向所述基片托盘中心区域的出气通道向下方的基片托盘中心区域喷出来自所述辅助气体输入管道的气体；所述气体喷头内还包括冷却液通道，所述冷却液通道用以与反应腔外部的冷却液源联通以控制气体喷头的温度，所述冷却液通道内还包括一隔离管道，所述冷却液经过隔离管道内部流入冷却液通道，经过所述隔离管道的外壁与所述冷却液通道的内壁之间的空间流出冷却液通道；所述MOCVD反应器还包括一驱动装置，驱动所述气体喷头能够上下移动或者旋转。

全文数据：

权利要求：

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