申请/专利权人：杭州电子科技大学

申请日：2022-09-01

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN115424866B

主分类号：H01G9/20

分类号：H01G9/20;H01G9/048

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本发明公开了一种二维六方相、菱形相ZnIn2S4复合同质结光电极的制备方法，包括以下步骤：导电衬底清洗；获得前体溶液；制得ZnIn2S4同质结光电极：将清洗好的导电衬底放入等离子体清洗机中处理，使导电衬底表面带电；在清洗的有效时间内，在导电衬底导电面的一端贴上耐高温胶带，取两片导电衬底，导电面朝下相放入水热釜内胆中；加入前体溶液，放入鼓风干燥箱内进行溶剂热反应，反应结束后冷却至室温，取出长有黄色样品的导电衬底，清洗后得到ZnIn2S4同质结光电极。本发明通过一步溶剂热法在导电衬底上直接生长ZnIn2S4同质结光电极，促进光生载流子的高效分离，显著提升光电极的光电化学性能。

主权项：1.一种二维六方相、菱形相ZnIn2S4复合同质结光电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10，导电衬底清洗：将导电衬底依次放入丙酮、无水乙醇、去离子水、无水乙醇中进行超声清洗，去除导电衬底表面的有机杂质以及可溶性杂质；S20，获得前体溶液：将预设量的ZnCl2、InCl3·4H2O和CH4N2S粉末混合后，用去离子水和无水乙醇的混合溶液溶解，磁力搅拌至完全溶解得到均匀的前体溶液；S30，制得ZnIn2S4同质结光电极：S31，将S10中清洗好的导电衬底放入等离子体清洗机中处理，使导电衬底表面带电；S32，在清洗的有效时间内，在导电衬底导电面的一端贴上耐高温胶带，取两片导电衬底，导电面朝下相对放入水热釜内胆中；S33，加入S20得到的前体溶液，放入鼓风干燥箱内进行溶剂热反应，反应结束后冷却至室温，取出长有黄色样品的导电衬底，清洗后得到ZnIn2S4同质结光电极；所述S20中去离子水的体积分数为83%。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州电子科技大学 一种二维六方相、菱形相ZnIn2S4复合同质结光电极的制备方法

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