申请/专利权人：上海鲲游科技有限公司

申请日：2024-03-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117872676A

主分类号：G03F7/00

分类号：G03F7/00;G02B5/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供的光栅形貌校正压印母版及校正方法，压印母版包括设置于基底表面的若干呈周期性排列的压印单元，压印单元包括压印结构和压印补偿结构，压印结构覆盖并贴合于基底的部分表面，压印补偿结构沿压印结构延伸的方向贴合于所述压印结构靠近所述基底的一端；基于该压印母版所形成的光栅形貌校正方法，使得刻蚀的形貌与现有技术相比，刻蚀转移结构顶部“收缩”现象改善明显，刻蚀顶切消失，光栅结构的上下齿偏差极小，刻蚀垂直度＞87°；因此，通过对压印母版结构进行补偿，设置压印补偿结构，可以实现校正刻蚀转移形貌的效果，大大改善现有的刻蚀工艺，同时提高光栅的衍射效率，对本领域技术人员而言，具有意料不到的技术效果。

主权项：1.一种光栅形貌校正压印母版，所述压印母版包括设置于基底表面的若干呈周期性排列的压印单元，其特征在于，所述压印单元包括压印结构和压印补偿结构，所述压印结构覆盖并贴合于所述基底的部分表面，所述压印补偿结构沿所述压印结构延伸的方向贴合于所述压印结构靠近所述基底的一端，且所述压印补偿结构与所述基底接触，所述压印补偿结构的高度小于所述压印结构的高度；所述压印补偿结构参数满足如下关系式： 式中，表示压印补偿结构单侧补偿宽度，表示常规压印刻蚀工艺得到的光栅上齿宽度，表示常规压印刻蚀工艺得到的光栅下齿宽度，S表示压印胶与光栅材料的刻蚀选择比，表示压印补偿结构高度，H0表示压印胶匀胶厚度，H表示压印单元的高度，P表示压印结构周期。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海鲲游科技有限公司 一种光栅形貌校正压印母版及校正方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD