申请/专利权人：武创芯研科技(武汉)有限公司

申请日：2024-03-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117867614A

主分类号：C25D5/18

分类号：C25D5/18;C25D1/00;C25D21/10;C25D21/12;C25D3/38;C25D7/00;H01L21/48

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种芯片铜柱的电镀方法及铜柱凸块的制作方法，包括如下步骤：a、在电流密度J0为1~3Adm2的条件下，形成第一高度的铜柱；b、以设定的加速度a1将电流密度J0提高至预设的电流密度J1，在第一高度的铜柱顶部形成第二高度的铜柱；c、保持电流密度J1不变，在第二高度的铜柱顶部形成第三高度的铜柱。本发明在电镀初期，采用较低电流密度，保证铜柱在初期平稳地形成；在电镀中期，采用连续型增大的电流密度，提高中期生产效率，同时降低突变界面处的应力集中，提高封装可靠性；在电镀后期，电镀电流密度较高且保持不变，确保铜柱的完整性和致密性；通过采用这种分阶段的电镀策略，提高整体的生产效果和产品质量。

主权项：1.一种芯片铜柱的电镀方法，其特征在于，包括如下步骤：a、在电流密度J0为1~3Adm2的条件下，形成第一高度的铜柱，所述第一高度为1~5μm；b、以设定的加速度a1将电流密度J0提高至预设的电流密度J1，J1为12~18Adm2，在第一高度的铜柱顶部形成第二高度的铜柱，所述第二高度为50~53μm；c、保持电流密度J1不变，在第二高度的铜柱顶部形成第三高度的铜柱，所述第三高度为14~17μm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武创芯研科技(武汉)有限公司 一种芯片铜柱的电镀方法及铜柱凸块的制作方法

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