申请/专利权人：安徽壹石通材料科技股份有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117866287A

主分类号：C08K3/38

分类号：C08K3/38;C08K9/06;C08K3/04;C08K9/04;C08L63/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种石墨纳米片原位生长氮化硼复合材料及其制备方法、导热聚合物，涉及导热材料技术领域，将偶联剂改性的氮化硼前驱体、氨基修饰的石墨纳米片和异氰酸酯反应，在保护气氛围中烧结，得到石墨纳米片原位生长氮化硼复合材料。本发明的目的是为了克服现有技术中石墨纳米片在树脂基体中绝缘性差、填充量低；氮化硼导热率低的技术问题，提供一种石墨纳米片原位生长氮化硼复合材料的制备方法，并将得到的石墨纳米片原位生长氮化硼复合材料应用于导热聚合物的制备，在改善导热性能的同时提高聚合物的绝缘性能。

主权项：1.一种石墨纳米片原位生长氮化硼复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1将硼源和氮源在溶剂中搅拌反应，得到氮化硼前驱体；2将氮化硼前驱体与偶联剂在溶剂中搅拌反应，得到偶联剂改性的氮化硼前驱体；3将石墨纳米片与含氨基的改性剂在溶剂中搅拌反应，得到氨基修饰的石墨纳米片；4将偶联剂改性的氮化硼前驱体和氨基修饰的石墨纳米片在溶剂中混合，然后加入异氰酸酯，搅拌反应，过滤，洗涤，干燥，在保护气氛围中烧结，得到石墨纳米片原位生长氮化硼复合材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽壹石通材料科技股份有限公司 石墨纳米片原位生长氮化硼复合材料及其制备方法、导热聚合物

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD