申请/专利权人：浙江芯科半导体有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117867654A

主分类号：C30B25/20

分类号：C30B25/20;C30B25/16;C30B29/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种碳化硅同质外延材料的制备方法及其生长室，方法包括：S1、刻蚀，S2、导入前体气体，S3、生长SiC薄膜，S4、生成纳米结构，S5、冷却和S6、表征；本发明在SiC薄膜生长过程中，引入NH3分解产生氮掺杂可以改变SiC材料的电学和光学性质，如用于光电器件和功率器件，引入N2作为气相掺杂源，可以改善SiC薄膜的结晶质量和降低缺陷密度，从而提高材料的性能和稳定性，通过引入N2生成氮化碳化硅SiCN纳米线可以具备独特的光学和电学性质，适用于纳米尺度电子器件或传感器制造，从而扩展了SiC材料的应用领域。

主权项：1.一种碳化硅同质外延材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、刻蚀，将碳化硅SiC衬底置于反应室中，将所述反应室抽至真空，加热到刻蚀温度，对碳化硅衬底进行原位刻蚀10～15min；S2、导入前体气体，通入硅烷SiH4和乙烯C2H4气体，引入氨气NH3作为氨源，引入氮气N2作为气相掺杂源；S3、生长SiC薄膜，将反应室升温至1500℃～1600℃，使SiH4和C2H4分解并生成SiC，同时NH3分解并引入氮原子，从而在SiC薄膜中引入氮杂质；S4、生成纳米结构，控制氮气流量，与SiC反应生成氮化碳化硅SiCN纳米线；S5、冷却，在生长结束后，逐渐冷却样品，然后将其从反应室中取出，得到碳化硅同质外延材料；S6、表征，对生长的碳化硅同质外延材料进行结构和物性的表征，以验证掺杂和纳米结构是否存在。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江芯科半导体有限公司 一种碳化硅同质外延材料的制备方法及其生长室

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