申请/专利权人：暨南大学

申请日：2023-10-31

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117865288A

主分类号：C02F1/461

分类号：C02F1/461;C02F1/50;C02F1/46;C02F1/467;C02F1/72

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种耐药菌胞内抗性基因削减的电极材料及其制备方法，通过在多孔电极表面生长微米级TiO2主干阵列和铂掺杂的纳米级TiO2分支，形成一种基于三维材料的铂掺杂树枝状TiO2纳米线结构。制备得到的树枝状纳米线三维电极材料，具有更大的比表面积，能够提供更多反应活性位点和强电场位点，并利用铂掺杂提升纳米线电导率和电催化性能。进一步通过与氯盐氧化剂联用，耦合纳米线电极表面电穿孔和电催化作用，利用纳米线尖端限域强电场诱导耐药菌细胞结构穿孔，强化氧化剂与抗性基因的接触和反应；利用纳米线尖端限域高电催化活性诱导强氧化性自由基生成，实现耐药菌细胞结构破坏和胞内抗性基因高效削减的目的。

主权项：1.一种耐药菌胞内抗性基因削减的电极材料及其制备方法，包括微米级TiO2主干阵列生长和纳米级TiO2分支生长与铂掺杂，其特征在于：所述1微米级TiO2主干阵列生长，具体步骤如下：1将三维多孔材料过夜渍于四氯化钛溶液中，其中四氯化钛溶液为体积分数为1-5％的乙醇溶液，浸渍时间为10-14小时；2将材料于400度高温氧化2小时，生成TiO2涂层和纳米点；3将三维材料浸渍于丙酮、盐酸和钛酸四丁酯混合液，于高温水热反应，基于TiO2纳米点生长纳米线阵列，其中丙酮和盐酸体积比为2:1，钛酸四丁酯添加量为盐酸和丙酮体积和的5-25％，水热条件为180-240度和2-5小时；2纳米级TiO2分支生长和铂掺杂，具体步骤如下：1将生长微米级TiO2主干阵列的电极浸渍于氟钛酸铵和硼酸的溶液，并以氯铂酸为掺杂剂提升材料导电性和催化活性，将溶液水热加热至30-80度，并保持1-5天，用于在微米级TiO2主干阵列上生长纳米级TiO2分支，其中硼酸和氟钛酸铵的摩尔浓度比为3:1、硼酸浓度为30-80mM，氯铂酸掺杂剂浓度为0.1-2mM；2将材料于400度高温氧化2小时，转化TiO2晶型，即制备具有铂掺杂的树枝状TiO2材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 暨南大学 一种耐药菌胞内抗性基因削减的电极材料及其制备方法

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