申请/专利权人：得一微电子股份有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877559A

主分类号：G11C29/12

分类号：G11C29/12;G11C29/54

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请公开了一种RRT参数的确定方法、设备及可读存储介质，属于数据处理技术领域。本申请通过获取待测硬盘闪存颗粒的电压分布数据；将所述电压分布数据输入预先训练的电压分布预测模型，其中，所述电压分布预测模型基于所述电压分布数据，输出所述待测硬盘闪存颗粒在预设生命节点的预测电压分布数据；基于所述预测电压分布数据，确定目标RRT参数，并根据所述目标RRT参数更新所述待测硬盘的配置。能够实现预测待测硬盘可能的出现的错误数据，在出厂前就配置好能够避免未来错误读数的目标RRT参数，确保厂商能够为用户提供性能稳定、耐久可靠的SSD产品，以满足用户对数据存储的高要求。

主权项：1.一种RRT参数的确定方法，其特征在于，所述RRT参数的确定方法包括以下步骤：获取待测硬盘闪存颗粒的电压分布数据；将所述电压分布数据输入预先训练的电压分布预测模型，其中，所述电压分布预测模型基于所述电压分布数据，输出所述待测硬盘闪存颗粒在预设生命节点的预测电压分布数据；基于所述预测电压分布数据，确定目标RRT参数，并根据所述目标RRT参数更新所述待测硬盘的配置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 得一微电子股份有限公司 RRT参数的确定方法、设备及可读存储介质

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