申请/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所

申请日：2023-12-09

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117870877A

主分类号：G01J5/53

分类号：G01J5/53

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种星载高温度均匀性面源黑体辐射源，包括黑体、均温结构、加热膜、热管和温度传感器，黑体正面的圆形有效区域为V型槽结构，温度传感器安装于黑体背面的凹槽内；均温结构正面与黑体背面导热安装并用螺钉固定，均温结构由紫铜板、高导热石墨片和低导热聚酰亚胺片按设计组合而成，各层之间采用胶粘；热管一端通过螺钉安装在均温结构背面，热管另一端安装在辐射散热板或其他冷源上；加热膜贴在均温结构背面。本发明能够解决现有的星载黑体存在的温度均匀性差的问题，从而提高星上红外标定的准确性。

主权项：1.一种星载高温度均匀性面源黑体辐射源，其特征在于：包括黑体1、均温结构2、加热膜3、热管4和温度传感器5，所述黑体1正面的圆形有效区域为V型槽结构，所述温度传感器5安装于黑体1背面的凹槽内；所述均温结构2正面与黑体1背面导热安装并用螺钉固定，所述均温结构2由紫铜板2-1、高导热石墨片2-2和低导热聚酰亚胺片2-3按设计组合而成，各层之间采用胶粘；所述热管4一端通过螺钉安装在均温结构2背面，所述热管4另一端安装在辐射散热板或其他冷源上；所述加热膜3贴在均温结构2背面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海技术物理研究所 一种星载高温度均匀性面源黑体辐射源

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