申请/专利权人：天合光能股份有限公司;天合光能(宿迁)光电有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878165A

主分类号：H01L31/0216

分类号：H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种钝化接触结构的制备方法、太阳能电池。上述太阳能电池包括衬底，衬底的第一侧设置有填充槽，填充槽的内壁上设置有隧穿层，填充槽内还设置有位于隧穿层上的掺杂多晶硅层；以及第一电极，第一电极位于第一侧并与填充槽位置对应。该结构设计使得在衬底的第一侧上沉积隧穿层和掺杂多晶硅层时，能够在填充槽的内壁形成多维度的材料堆积，有利于在填充槽所在区域内形成比填充槽所在区域之外更厚的掺杂多晶硅层，也即有利于在第一电极对应位置形成厚度更大的掺杂多晶硅层，提高电极区域的钝化效果，且防止掺杂多晶硅层在电极金属化时被烧穿。沉积在填充槽之外的掺杂多晶硅层则厚度较小或者被去除掉，降低了其寄生吸收造成的不利影响。

主权项：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括衬底，所述衬底的第一侧设置有填充槽，所述填充槽的内壁上设置有隧穿层，所述填充槽内还设置有位于所述隧穿层上的掺杂多晶硅层；所述太阳能电池还包括第一电极，所述第一电极位于所述第一侧并与所述填充槽位置对应。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天合光能股份有限公司;天合光能(宿迁)光电有限公司 钝化接触结构的制备方法、太阳能电池

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