申请/专利权人：重庆邮电大学

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117873268A

主分类号：G05F1/567

分类号：G05F1/567

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明请求保护一种基于BCD工艺的高阶温度补偿的带隙基准电路，包括偏置电路、温度补偿电路及一阶带隙基准电路。本发明采用两个NPN三极管的基极发射极电压之差以及NPN三极管Q3的基极发射极电压分别在电阻R1及电阻R2上产生正负温度系数电流并给温度补偿电路提供偏置，采用NPN三极管Q7与NPN三极管Q8的基极发射极电压以及放大器A1的箝位技术产生一阶带隙基准电压，采用线性环技术以及NPN三极管Q4与NPN三极管Q5的基极‑发射极箝位技术产生一个高阶温度非线性电流来补偿一阶带隙基准电压的温度高阶非线性，提高带隙基准电压的温漂性能，从而实现一种基于BCD工艺的高阶温度补偿的带隙基准电路。

主权项：1.一种基于BCD工艺的高阶温度补偿的带隙基准电路，其特征在于，包括:偏置电路1、温度补偿电路2及一阶带隙基准电路3；其中，所述偏置电路1的信号输出端连接所述温度补偿电路2的信号输入端，所述温度补偿电路2的信号输出端连接所述一阶带隙基准电路3的信号输入端；所述偏置电路1用于为温度补偿电路2提供一个正温度系数电流以及一个负温度系数电流，所述温度补偿电路2用于产生一个温度高阶非线性电流并补偿所述一阶带隙基准电路3产生的一阶带隙基准电压的温度高阶非线性，从而获得低温漂特性的带隙基准电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆邮电大学 一种基于BCD工艺的高阶温度补偿的带隙基准电路

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