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【发明公布】带隙基准电路及其控制方法_无锡健芯半导体科技有限公司_202410076590.X 

申请/专利权人:无锡健芯半导体科技有限公司

申请日:2024-01-18

公开(公告)日:2024-04-19

公开(公告)号:CN117908622A

主分类号:G05F1/567

分类号:G05F1/567

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要:本申请涉及集成电路技术领域,提供一种带隙基准电路及其控制方法。所述带隙基准电路包括运算放大器、第一三极管单元、第二三极管单元、第一电阻单元、第二电阻单元以及分压电阻;运算放大器的输入端与第一三极管单元和第二三极管单元的集电极连接;运算放大器的输出端与第一电阻单元的第一端、第一三极管单元的基极、第二三极管单元的基极连接;第一电阻单元的第二端与第一三极管单元的发射极以及分压电阻的第一端连接;第二电阻单元的第一端,与分压电阻的第二端以及第二三极管单元的发射极连接。本申请实施例能够有效降低带隙基准电路的功耗。

主权项:1.一种带隙基准电路,其特征在于,包括:运算放大器、第一三极管单元、第二三极管单元、第一电阻单元、第二电阻单元以及分压电阻;所述运算放大器的反向输入端与所述第一三极管单元的集电极连接,所述运算放大器的正向输入端和所述第二三极管单元的集电极连接;所述运算放大器的输出端与所述第一电阻单元的第一端、所述第一三极管单元的基极以及所述第二三极管单元的基极连接,所述第一三极管单元输出的放大信号,大于所述第二三极管输出的放大信号;所述第一电阻单元的第二端与所述第一三极管单元的发射极以及所述分压电阻的第一端连接;所述第二电阻单元的第一端,与所述分压电阻的第二端以及所述第二三极管单元的发射极连接,所述第二电阻单元的第二端接地;所述第一电阻单元和所述第二电阻单元中的至少一个电阻可调。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 无锡健芯半导体科技有限公司 带隙基准电路及其控制方法

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