申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2024-03-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878717A

主分类号：H01S5/026

分类号：H01S5/026;H01S5/40;G02B6/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供了一种飞秒激光直写波导耦合的单片集成光发射芯片，涉及光器件集成技术领域，包括：硅衬底、二氧化硅埋氧层和二氧化硅包埋层从下至上依次生长；硅波导层，设于二氧化硅埋氧层上，位于二氧化硅包埋层内部；二氧化硅包埋层包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域包括量子点激光器阵列，第二区域包括调制器阵列，第三区域包括光波导阵列，量子点激光器阵列、调制器阵列与光波导阵列呈同一方向排布，量子点激光器阵列的输出端面的高度与调制器阵列的输入端面的高度不同，每组量子点激光器阵列与调制器阵列通过光波导阵列对应连接。本发明能够解决量子点激光器与调制器之间模斑尺寸匹配与空间对准问题，更好实现光电单片集成。

主权项：1.一种飞秒激光直写波导耦合的单片集成光发射芯片，其特征在于，包括：硅衬底（1）；二氧化硅埋氧层，设于所述硅衬底（1）上；二氧化硅包埋层（2），设于所述二氧化硅埋氧层上；硅波导层，设于所述二氧化硅埋氧层上，位于所述二氧化硅包埋层（2）内部；所述二氧化硅包埋层（2）包括第一区域（21）、第二区域（22）和第三区域（23），所述第一区域（21）包括量子点激光器阵列（3），第二区域（22）包括调制器阵列（4），第三区域（23）包括光波导阵列（5），所述量子点激光器阵列（3）、所述调制器阵列（4）与所述光波导阵列（5）呈同一方向排布，所述量子点激光器阵列（3）的输出端面的高度与所述调制器阵列（4）的输入端面的高度不同，每组所述量子点激光器阵列（3）与所述调制器阵列（4）通过所述光波导阵列（5）对应连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 飞秒激光直写波导耦合的单片集成光发射芯片

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