申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司

申请日：2023-09-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878144A

主分类号：H01L29/40

分类号：H01L29/40;H01L21/335;H01L29/423;H01L29/778

优先权：["20221012 US 17/964356"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本公开涉及具有场板的器件。本公开涉及一种结构，该结构包括：位于半导体材料上方的至少一个栅极结构，该至少一个栅极结构包括有源层、从有源层延伸的栅极金属和位于栅极金属的侧壁上的侧壁隔离物；以及场板，其与至少一个栅极结构对准，并且通过侧壁隔离物与栅极金属隔离。

主权项：1.一种结构，包括：至少一个栅极结构，其位于半导体材料上方，所述至少一个栅极结构包括有源层、从所述有源层延伸的栅极金属和位于所述栅极金属的侧壁上的侧壁隔离物；以及场板，其与所述至少一个栅极结构对准，并且通过所述侧壁隔离物与所述栅极金属隔离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有场板的器件

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