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【发明公布】一种基于自举电容电流增强型高速栅极驱动电路_电子科技大学_202410080294.7 

申请/专利权人:电子科技大学

申请日:2024-01-18

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN117879585A

主分类号:H03K19/0185

分类号:H03K19/0185;H03K19/003;H03K19/20;H03K19/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要:本发明属于集成电路技术领域,公开了一种基于自举电容电流增强型高速栅极驱动电路。该电路包括三级驱动级、自举电容模块和预充电模块;第一级驱动级模块的输出接在自举电容模块的输入端,预充电模块输入接在第一级驱动级模块的输出,预充电模块的输出直接连接在功率管的栅极,预充电模块中包含一个电流增强电路,其中电流增强电路将产生的小电流进行放大,在输入方波信号变化时,通过电势差产生的小电流放大并通过传输门直接对栅极进行充放电,以达到快速瞬态响应。电容自举模块结合第二级驱动级,完成高低电位的拉高或拉低,以增大短脉冲电流、增强驱动能力。通过预充电模块与自举电容模块的结合,实现快速的瞬态响应,缩短功率管的开通、关断延迟时间。

主权项:1.一种基于自举电容电流增强型高速栅极驱动电路,该栅极驱动电路包括:驱动级模块、自举电容模块和预充电模块,所述驱动级模块包括第一级驱动、第二级驱动、第三级驱动;第一级驱动为第一反相器inv1,第二级驱动包括:第三反相器inv3、第四反相器inv4,第三级驱动包括:第二MPMOS、第二MNMOS;自举电容模块包括:第二反相器inv2、第一MPMOS管、第一MNMOS管、第一电容和第二电容;其中第二反向器inv2的输入为第一级驱动的输出;第一MPMOS管的源极接电源,栅极接第二反相器inv2的输出,漏极接第一电容的A端;第一MNMOS管的源端接地电位,栅端接第二反相器inv2的输出,漏端接第二电容的B端;第一电容的另一端和第二电容的另一端都接第二反相器的输出;预充电模块包括:第三MPMOS管、第三MNMOS管、第四MPMOS管、第四MNMOS管、第五反相器inv5以及电流增强电路,其中电流增强电路包括:第五MPMOS管、第五MNMOS管、第六MPMOS管、第六MNMOS管、第七MNMOS管、第七MPMOS管、第八MNMOS管、第八MPMOS管、第一偏置电流源和第二偏置电流源;其中,第三MPMOS管的栅端接第二反相器inv2的输出,第三MPMOS管的源端与第三MNMOS管的源端、第四反相器inv4的控制端、第一电容的A端共接,第三MPMOS管的漏端接第四MNMOS的漏端;第三MNMOS管的栅端接第二反相器的输出,第三MNMOS管的漏端接第四MPMOS的漏端;第四MPMOS管的栅端为第五反相器inv5的输出,源端接电流增强电路的输入即第五MNMOS的源端,衬底接第二电容的B端;第四MNMOS管的栅端接第五反相器的输出,源端接电流增强电路的输入即第五MNMOS的源端,衬底接第一电容的A端;第七MNMOS管的栅端、漏端接电源,源端接第五MPMOS管的源端;第五MPMOS管的栅端接到漏端,漏端接第一偏置电流源的上端;第六MPMOS管的栅极接到第五MPMOS的栅端,源端接电源,漏端接第八MPMOS管的源端;第八MPMOS的栅端连接第一偏置电流源的下端后接地,漏端连接第五反相器inv5的输入端、第八MNMOS管的的漏端、第三级驱动的输出端;第五MNMOS管的栅端接到漏端,漏端接到第二偏置电流源的下端,源端接到第七MPMOS管的源端;第六MPMOS管的栅端接到第五MNMOS管的栅端,源端接地电位,漏端接第八MNMOS管的源端;第七MPMOS管的栅端、漏端接地;第八MNMOS管的栅端接电源,漏端接第三级驱动的输出;第一偏置电流源的下端接地电位,第二电流源的上端接电源;其中第一级驱动的输入为PWM控制方波,输出连接自举电容模块的输入;第三反相器inv3和第四反相器inv4的输入都为第一反相器inv1的输出,第三反相器inv3的输出连接第二MPMOS的栅端,第四反相器inv4的输出端连接第二MNMOS栅端;第二MNMOS的衬底与自举电容模块中第二电容的B端、第三反相器inv3的控制端共接,第二MNMOS的源端接地;第二MPMOS的衬底接到自举电容模块中第一电容的A端,源端接电源;第二MPMOS的漏端和第二MNMOS的漏端共接后作为第三级驱动的输出。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 电子科技大学 一种基于自举电容电流增强型高速栅极驱动电路

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