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【发明公布】包括具有高密度互连件的衬底的封装件_高通股份有限公司_202280058964.4 

申请/专利权人:高通股份有限公司

申请日:2022-07-01

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN117882189A

主分类号:H01L23/538

分类号:H01L23/538

优先权:["20210909 US 17/471,061"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要:一种封装件,该封装件包括衬底和耦合到该衬底的集成器件。该衬底包括:芯层,该芯层包括第一表面和第二表面;至少一个第一电介质层,该至少一个第一电介质层被耦合到该芯层的该第一表面;至少一个第二电介质层,该至少一个第二电介质层被耦合到该芯层的该第二表面;至少一个芯互连件,该至少一个芯互连件延伸穿过该芯层和来自该至少第一电介质层和或该至少一个第二电介质层中的至少一个电介质层;多个高密度互连件,该多个高密度互连件包括第一最小宽度和第一最小间距;以及多个互连件,该多个互连件包括第二最小宽度和第二最小间距。该第二最小宽度大于该第一最小宽度。该第二最小间距大于该第一最小间距。

主权项:1.一种封装件,所述封装件包括:衬底,所述衬底包括:芯层,所述芯层包括第一表面和第二表面;至少一个第一电介质层,所述至少一个第一电介质层被耦合到所述芯层的所述第一表面;至少一个第二电介质层,所述至少一个第二电介质层被耦合到所述芯层的所述第二表面;至少一个芯互连件,所述至少一个芯互连件延伸穿过所述芯层和来自所述至少第一电介质层和或所述至少一个第二电介质层中的至少一个电介质层;多个高密度互连件,所述多个高密度互连件包括第一最小宽度和第一最小间距;和多个互连件,所述多个互连件包括第二最小宽度和第二最小间距,其中所述第二最小宽度大于所述第一最小宽度,并且其中所述第二最小间距大于所述第一最小间距,和集成器件,所述集成器件被耦合到所述衬底。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 高通股份有限公司 包括具有高密度互连件的衬底的封装件

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