申请/专利权人：浙江大学

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117879568A

主分类号：H03K17/687

分类号：H03K17/687;H03M1/06;H03M1/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开一种栅压自举的CMOS互补开关结构，包括：并联连接的NMOS开关和PMOS开关，以及分别连接所述NMOS开关和PMOS开关的NMOS开关栅极电压自举环路和PMOS开关栅极电压自举环路；还包括时钟倍增模块，时钟倍增模块根据时钟信号提供驱动电压给所述NMOS开关栅极电压自举环路和PMOS开关栅极电压自举环路，两个栅极电压自举环路则根据驱动电压产生对应的自举电压来控制所述NMOS开关和PMOS开关的关断或导通。相较于单个NMOS自举采样开关而言，本发明结构有效降低了最终的等效电阻值，同时降低了单个NMOS自举采样开关由于衬底偏置效应导致的电阻随输入信号增大而导致的变化幅度较大的问题。

主权项：1.一种栅压自举的CMOS互补开关结构，包括栅压自举模块及其控制连接的主开关，其特征在于，所述主开关包括并联连接的NMOS开关Mn和PMOS开关Mp，所述栅压自举模块包括NMOS开关Mn的栅极电压自举环路和PMOS开关Mp的栅极电压自举环路，且分别连接所述NMOS开关Mn和PMOS开关Mp；该结构还包括时钟倍增模块，所述时钟倍增模块根据时钟信号提供驱动电压给所述NMOS开关Mn的栅极电压自举环路和PMOS开关Mp的栅极电压自举环路，NMOS开关Mn的栅极电压自举环路和PMOS开关Mp的栅极电压自举环路则根据驱动电压产生对应的自举电压来控制所述NMOS开关Mn和PMOS开关Mp的关断或导通。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学 一种栅压自举的CMOS互补开关结构

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