申请/专利权人：格科微电子(上海)有限公司

申请日：2019-12-30

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN111146227B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.05.11#实质审查的生效;2020.05.12#公开

摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器的形成方法，在图像传感器像素区域晶体管中的接触孔区域，布局设计长方形的电性接触结构，提高图像传感器的性能；此外，在形成图像传感器晶体管栅极以及第一次轻掺杂漏极源极离子注入后，进行像素区域的第二次轻掺杂漏极源极离子注入，增大像素区域晶体管之间的N型掺杂结的浓度、范围，一方面可保证像素区域的N型掺杂结包围住后续形成的电性接触结构；另一方面，可降低像素区域读出电路的电阻，提高图像传感器的读出速度，提高图像传感器的器件性能。

主权项：1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：形成图像传感器晶体管的栅极区域；进行像素区域和逻辑区域第一次轻掺杂漏极源极离子注入；形成晶体管栅极侧墙；进行源极和漏极掺杂离子注入；去除栅极侧墙顶部的氧化物；在所述图像传感器像素区域晶体管中的接触孔区域形成长方形的电性接触结构，提高图像传感器的性能。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格科微电子(上海)有限公司 CMOS图像传感器的形成方法

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