申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-10-10

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881184A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：["20221012 KR 10-2022-0130711"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：一种半导体器件包括：基板，具有有源区；位线结构，在基板上并在一个方向上延伸；位线接触，电连接有源区的第一杂质区和位线结构；以及存储节点接触，设置在位线结构的侧壁上并电连接到有源区的第二杂质区，其中存储节点接触包括在垂直于基板的上表面的垂直方向上延伸的垂直延伸部分以及一体地连接到垂直延伸部分并在平行于基板的上表面的水平方向上延伸的水平延伸部分。

主权项：1.一种半导体器件，包括：基板，包括有源区；位线结构，在所述基板上并在一个方向上延伸；位线接触，电连接所述有源区的第一杂质区和所述位线结构；以及存储节点接触，在所述位线结构的侧壁上并电连接到所述有源区的第二杂质区，所述存储节点接触包括：垂直延伸部分，在垂直方向上延伸，所述垂直方向垂直于所述基板的上表面，以及水平延伸部分，一体地连接到所述垂直延伸部分并在水平方向上延伸，所述水平方向平行于所述基板的所述上表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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