申请/专利权人：贵州航天电器股份有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117870886A

主分类号：G01K7/00

分类号：G01K7/00;C23C14/04;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/30;C23C14/35

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种微纳多层膜型薄膜传感器及制造方法，所述微纳多层膜型薄膜传感器包括衬底、薄膜A和薄膜B，所述衬底外设置电极层，所述薄膜A和薄膜B设置在衬底上。本发明的制备方法可以在不借助先进光刻工艺及刻蚀工艺的情况下实现纳米级电阻电路的精确制备，并且采用叠层的方法，极大的减少了功能层在衬底上所占的面积，使其宽度方向仅受切割方式的影响。有效的增加了膜型传感器的功能层面积，大幅减小体积，增加传感器精度，扩展了薄膜类传感器使用空间下极限。

主权项：1.一种微纳多层膜型薄膜传感器，其特征在于：包括衬底1、薄膜A2和薄膜B3，所述衬底1外设置电极层4，所述薄膜A2和薄膜B3设置在衬底1上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 贵州航天电器股份有限公司 一种微纳多层膜型薄膜传感器及制造方法

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