申请/专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学

申请日：2024-01-10

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881256A

主分类号：H10K71/40

分类号：H10K71/40;H10K71/12;H10K39/36;H10K39/32

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请涉及复合材料技术领域，尤其涉及一种降低X射线探测器暗电流密度和检测限的方法；所述方法包括：混合有机溶剂和钙钛矿前体材料溶液，对混合物进行静置，得到饱和混合物；于饱和混合物中加入种子层，得到种子混合物；对种子混合物进行静置，后采用苯甲醚溶剂对静置后的所述种子混合物进行溶剂退火，得到钙钛矿材料基底；以及，使钙钛矿材料基底的至少部分表面覆盖金属电极材料，得到X射线探测器件；通过引入溶剂退火的方式，可以在钙钛矿膜上形成相对稳定的热场，减少了缺陷并提升了晶体质量；而这种高质量、高均匀性的厚膜可以使得钙钛矿材料基底产生了更低的暗电流和信噪比。

主权项：1.一种降低X射线探测器暗电流密度和检测限的方法，其特征在于，所述方法包括：混合有机溶剂和钙钛矿前体材料溶液，对混合物进行静置至所述单晶钙钛矿材料饱和析出，得到饱和混合物；于所述饱和混合物中加入种子层，得到种子混合物；对所述种子混合物进行静置，后采用苯甲醚溶剂对静置后的所述种子混合物进行溶剂退火，得到钙钛矿材料基底；以及，使所述钙钛矿材料基底的至少部分表面覆盖金属电极材料，得到X射线探测器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 一种降低X射线探测器暗电流密度和检测限的方法

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