申请/专利权人：索尼集团公司

申请日：2022-03-09

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117882256A

主分类号：H01S5/183

分类号：H01S5/183;H01S5/042;H01S5/187

优先权：["20210826 JP 2021-138210"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.12#公开

摘要：该表面发光元件包括：由第一晶体材料形成的半导体层；反射层，形成在半导体层上、由晶格常数或晶体结构不同于第一晶体材料的第二晶体材料形成并且具有台面形状；以及光收缩区域，形成在反射层的一部分中并且控制光限制。

主权项：1.一种表面发射装置，包括：包括第一晶体材料的半导体层；反射层，形成在所述半导体层上、包括晶格常数或晶体结构不同于所述第一晶体材料的第二晶体材料并且具有台面形状；以及光收缩区域，形成在所述反射层的一部分中并且控制光学限制。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索尼集团公司 表面发射装置和用于制造表面发射装置的方法

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