申请/专利权人：云南贵金属实验室有限公司

申请日：2024-01-23

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117865691A

主分类号：C04B35/584

分类号：C04B35/584;C04B35/626

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供了一种低氧含量氮化硅粉末及其铝热还原方法和应用，属于氮化硅陶瓷技术领域。本发明提供的低氧含量氮化硅粉末的铝热还原方法，包括以下步骤：将氮化硅粉末和铝粉进行球磨混合，得到混合粉末；将混合粉末进行铝热还原，然后和酸性溶液混合，得到低氧含量氮化硅粉末，铝热还原的温度为600～800℃，铝热还原的保温时间为3～5h。本发明在氮化硅粉末中添加铝作为还原剂，利用铝热还原方法去除二氧化硅，降低氮化硅粉末中的氧含量，所需的反应温度低，反应条件更加温和。实施例的结果显示，本发明得到的氮化硅粉末中氧含量≤0.93wt.％，制备成氮化硅陶瓷后热导率＞75Wm·K。

主权项：1.一种低氧含量氮化硅粉末的铝热还原方法，包括以下步骤：1将氮化硅粉末和铝粉进行球磨混合，得到混合粉末；2将所述步骤1得到的混合粉末进行铝热还原，然后依次进行酸洗、中性溶液洗涤和干燥得到低氧含量氮化硅粉末；所述步骤2中铝热还原的温度为600～800℃，铝热还原的保温时间为3～5h。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 云南贵金属实验室有限公司 一种低氧含量氮化硅粉末及其铝热还原方法和应用

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