申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878056A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L23/538;H01L21/02;B08B5/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供接触孔及制作方法，通过对第一晶圆承载盒内的半导体衬底先执行刻蚀工艺，刻蚀半导体衬底上的介质层以形成接触孔，接触孔贯穿介质层并暴露出半导体衬底，接触孔内具有残留物；然后将完成刻蚀工艺的半导体衬底转移至第二晶圆承载盒内，采用第二晶圆承载盒内的气体吹扫装置吹扫接触孔以去除接触孔内的残留物，从而解决了接触孔内的残留物沉积到晶圆承载盒或者待执行刻蚀工艺的晶圆上造成接触孔刻蚀不开的问题。本发明无需将接触孔尺寸变大，避免了造成接触孔短路的风险，也保证了机台的产能。

主权项：1.一种接触孔的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底位于第一晶圆承载盒内，所述半导体衬底上形成有介质层；执行刻蚀工艺，刻蚀所述介质层以形成接触孔，所述接触孔贯穿所述介质层并暴露出所述半导体衬底，所述接触孔内具有残留物；将完成刻蚀工艺的所述半导体衬底转移至第二晶圆承载盒内，采用所述第二晶圆承载盒内的气体吹扫装置吹扫所述接触孔以去除所述接触孔内的残留物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 接触孔及制作方法

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