申请/专利权人：正泰新能科技股份有限公司

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878176A

主分类号：H01L31/068

分类号：H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及光伏发电领域，特别是涉及一种P型TBC太阳能电池及其制作方法，包括P型基体硅，所述P型基体硅的背光面包括图形化的N型区域；在所述N型区域内，从所述P型基体硅的背光面向外依次包括第一遂穿层、N型多晶硅层、第一导电遮挡层、第一钝化减反层及非银N细栅；所述非银N细栅贯穿所述第一钝化减反层，与所述第一导电遮挡层接触。本发明在电池背面的N型区域内使用非银N细栅作为金属电极，可极大降低P型TBC太阳能电池的生产成本，同时在非银N细栅与对应的多晶硅之间设置导电遮挡层，避免所述非银N细栅在烧结过程中金属浆料直接接触多晶硅，接触电阻大幅降低，电池的填充因子上升，提升电池开路电压，提升电池光电转化效率。

主权项：1.一种P型TBC太阳能电池，其特征在于，包括P型基体硅，所述P型基体硅的背光面包括图形化的N型区域；在所述N型区域内，从所述P型基体硅的背光面向外依次包括第一遂穿层、N型多晶硅层、第一导电遮挡层、第一钝化减反层及非银N细栅；所述非银N细栅贯穿所述第一钝化减反层，与所述第一导电遮挡层接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 正泰新能科技股份有限公司 一种P型TBC太阳能电池及其制作方法

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