申请/专利权人：淮安捷泰新能源科技有限公司

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117497645B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;F24S30/48;H01L31/068;H02S20/30

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：本发明公开了TBC太阳能电池的制备方法、TBC太阳能电池与光伏系统，属于光伏模块的支撑结构技术领域。本发明提供的光伏系统，其所具有的光伏系统支架，通过所述支撑杆组件一的旋转杆一的定位槽一、支撑杆组件二的旋转杆二的定位槽二与所述底座的环形导轨这三者的配合，能够同时实现所述太阳能电池组件的多角度灵活的调整，同时增加稳定性。此外，本发明提供的方法制备得到的TBC太阳能电池，能够与光伏系统支架的结构优化相协同，进一步提升对于所述太阳光的利用。

主权项：1.TBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1：对硅片的表面进行结构化处理和碱抛光；步骤S2：对所述硅片的背面依次进行第一隧穿氧化层、第一非晶硅层、第二隧穿氧化层、第二非晶硅层的沉积；所述第二非晶硅层的厚度不低于所述第一非晶硅层的厚度；所述第一非晶硅层具有80～200nm的厚度；所述第二非晶硅层具有200～400nm的厚度；步骤S3：对步骤S2处理过后的所述硅片进行硼扩散，形成P型掺杂多晶硅层，以及厚度为50～200nm的掩膜BSG层；其中，所述硼扩散的温度为800～1000℃，硼源的流量为100～1000sccm，处理完成后的方阻为100～300Ωsq；步骤S4：对步骤S3处理过后的所述硅片表面进行一次开槽处理，并刻蚀暴露第一非晶硅层；步骤S5：对步骤S4处理过后的所述硅片进行磷扩散，形成N型掺杂多晶硅层，以及厚度为50～200nm的掩膜PSG层；其中，所述磷扩散的温度为700～900℃，磷源的流量为300～1000sccm，处理完成后的方阻为80~150Ωsq；步骤S6：对步骤S5处理过后的所述硅片进行二次开槽以形成NP隔离结构，并进行双面制绒；步骤S7：先在步骤S6处理过后的所述硅片的正面、背面进行氧化铝层的沉积；步骤S8：在所述硅片的背面、正面进行氮化硅层的沉积；步骤S9：对步骤S8处理过后的硅片进行丝网印刷、烧结。

全文数据：

权利要求：

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