申请/专利权人：常州时创能源股份有限公司

申请日：2022-04-30

公开（公告）日：2023-12-22

公开（公告）号：CN115020532B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.22#授权;2022.09.23#实质审查的生效;2022.09.06#公开

摘要：本发明公开了一种TBC电池的制备方法，制绒后在硅片正面沉积一层功能膜，该功能膜在后续高温过程中，具有吸杂和掺杂的功能，可以提高硅片的质量，还能在正面形成前场，有利于TBC电池载流子的传输，且在后续碱抛过程中，该功能膜具有保护功能，能防止正面在碱抛溶液中被腐蚀。

主权项：1.一种TBC电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制绒，在硅片表面形成绒面；硅片正面沉积功能膜，该功能膜含有Ⅲ族元素，且不与碱反应；所述功能膜选自为含Ⅲ族元素的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种；所述Ⅲ族元素选自硼、镓、铟中的一种或几种；硅片背面碱抛光，且功能膜保护硅片正面在碱抛光过程中不被碱腐蚀；硅片背面沉积隧穿氧化层和Polysi层；高温掺杂，在硅片背面形成N型掺杂，且在高温掺杂过程中，功能膜中的Ⅲ族元素对硅片正面掺杂形成前场；且在高温掺杂过程中，硅片中的金属杂质扩散富集在功能膜中，实现对硅片的吸杂；去除硅片背面局部PSG层；去除硅片正面PSG，然后对硅片进行碱抛光；碱抛光过程中：硅片背面去除PSG层的区域被抛光，形成P区；硅片背面没有去除PSG层的区域不被碱腐蚀，形成N区；硅片正面绕镀的Polysi被碱腐蚀，且功能膜保护正面绒面不被碱腐蚀；酸洗去除硅片正面的功能膜和背面N区的PSG；硅片表面钝化，在硅片表面形成钝化膜；硅片背面丝网印刷；烧结，形成金属化电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 常州时创能源股份有限公司 一种TBC电池的制备方法

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