申请/专利权人：迪睿合株式会社

申请日：2018-05-31

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117867451A

主分类号：C23C14/34

分类号：C23C14/34;C22C1/05;C22C30/02;C22C27/04;C22C32/00

优先权：["20171020 JP 2017-203521"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：课题在于提供抑制异常放电，并且可进行稳定成膜的Mn‑W‑Cu‑O系溅射靶及其制备方法。解决手段是一种溅射靶，其是在成分组成中含有Mn、W、Cu和O的Mn‑W‑Cu‑O系溅射靶，其中，相对密度为90％以上，并且电阻率为9×10‑4Ω·cm以下。

主权项：1.溅射靶，其是在成分组成中含有Mn、W、Cu和O、且在成分组成中不含有Zn的Mn-W-Cu-O系溅射靶，其中，相对密度为96％以上，并且电阻率为5×10-4Ω·cm以下。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 迪睿合株式会社 Mn-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法

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